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该工作揭示了Sb原子定向、电力电合有序迁移导致的可逆晶晶转变机理，电力电合为研发与现有CMOS技术兼容和不需要迭代激励操作的高性能多级相变存储器提供了新的途径。市场售电市场（e）Sb原子迁移示意图。

公司购售图文导读图1. 器件擦写性能。PCRAM的工作原理是：退出同处对晶态相变材料施加强且短的电脉冲，相变材料快速熔化并淬火至非晶态，实现RESET操作。置办（f）Sb迁移过程的自由能变化。

电阻漂移降低了多级存储和神经形态计算的编程精度，法征发布破坏了器件参数（比如使阈值电压提高）。（a-d）钇锑碲擦写窗口、求意电阻漂移以及循环性能。

见稿（h）钇锑碲和碲化锑的RESET功耗对比。

云南非晶和晶态间巨大的电阻率差异保证了数据读取。最近的进展集中在简单的A2+B4+O3钙钛矿（BaCeO3-BaZrO3系统）上，电力电合其他新的钙钛矿衍生物应继续寻求。

市场售电市场图3.典型氧化物钙钛矿的氧化还原热力学研究。10、公司购售钙钛矿薄膜的电催化作用开发可再生能源的需求导致了改进可再生能源技术的新方法。

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